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晶体管
SI1012X-T1-GE3参考图片

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SI1012X-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9606
29.606
100
¥2.1922
219.22
500
¥1.808
904
3,000
¥1.2769
3830.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
750 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
275 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
1.6 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 N Channel
宽度
0.85 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI1012X-GE3
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，SI1012X-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMPH4023SK3Q-13
Diodes Inc. / Pericom
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2,500:¥3.1527
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3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.60681
参考库存:46609
SIHU5N50D-E3
Vishay / Siliconix
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MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
3,000:¥3.8081
6,000:¥3.616
9,000:¥3.4804
24,000:¥3.3787
参考库存:46614
2N6433
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
2,000:¥12.9837
4,000:¥12.4526
参考库存:46619
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