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晶体管
CSD25202W15参考图片

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CSD25202W15

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:26,165(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.068
40.68
100
¥2.6329
263.29
1,000
¥2.1018
2101.8
3,000
¥1.7741
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-9
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
7.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD25202W15
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25202W15的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.85315
参考库存:63131
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:6798
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥120.3337
10:¥109.4179
25:¥101.2028
50:¥95.7449
参考库存:2360
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Automotive-grade low voltage NPN power transistor
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
参考库存:18432
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
1,500:¥2.3956
参考库存:12174
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