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晶体管
RQ3E120GNTB参考图片

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RQ3E120GNTB

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7459
27.459
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
3,000
¥1.10627
3318.81
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSMT-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.5 ns
典型接通延迟时间
9.6 ns
零件号别名
RQ3E120GN
商品其它信息
优势价格,RQ3E120GNTB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR DPAK 50V
1:¥5.8421
10:¥4.8364
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1,000:¥2.4973
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10:¥7.4128
100:¥5.6952
500:¥5.0285
3,000:¥3.5256
9,000:查看
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10:¥7.8422
100:¥6.8252
500:¥5.2997
2,500:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:5939
晶体管
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1:¥6.5314
10:¥5.4692
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
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1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.53788
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
24,000:¥0.23052
参考库存:34248
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