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晶体管
FS30R06W1E3参考图片

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FS30R06W1E3

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库存:3,538(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥223.6835
223.6835
5
¥221.3783
1106.8915
10
¥206.3154
2063.154
25
¥197.0946
4927.365
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
150 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS30R06W1E3BOMA1 SP000223650
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格,FS30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
1:¥7.1416
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
3,000:¥3.8985
参考库存:33430
晶体管
MOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
2,500:¥3.1866
参考库存:21617
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:71214
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR NPN
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:44171
晶体管
MOSFET 30V N+P Ch MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7854
参考库存:17338
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