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晶体管
CSD85301Q2T参考图片

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CSD85301Q2T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-FET-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD85301Q2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
9.700 mg
商品其它信息
优势价格，CSD85301Q2T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMD10,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:29886
BC68PASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A NPN Medium Power Transistors
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.7458
参考库存:16213
2SD2653KT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V 2A
1:¥3.6838
10:¥3.0284
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:31090
RS1E180BNTB
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
2,500:¥1.4012
参考库存:14517
BD436STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
参考库存:12679
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