PEMD10,115详细参数_参考价格_PEMD10,115 PDF资料_Nexperia

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-666-6
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.6 mm
长度	1.7 mm
宽度	1.3 mm
商标	Nexperia
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
零件号别名	PEMD10 T/R
单位重量	2.800 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRLH6224TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable	1:¥9.4468 10:¥8.0682 100:¥6.2037 500:¥5.4805 1,000:¥4.3279 4,000:¥4.3279	参考库存:20432
BSC009NE2LS5IATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LV POWER MOS	1:¥14.9047 10:¥12.6786 100:¥10.1474 500:¥8.8366 5,000:¥6.5992 10,000:查看	参考库存:2689
FDD8896-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N-Ch PowerTrench	1:¥7.7631 10:¥6.6105 100:¥5.0737 500:¥4.4861 2,500:¥3.1414 10,000:查看	参考库存:12066
IRLU3110ZPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl	1:¥12.2944 10:¥10.4525 100:¥8.3733 500:¥7.3337 1,000:¥6.0794	参考库存:15048
IPB027N10N5ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2	1:¥34.2729 10:¥29.1201 100:¥25.2781 250:¥23.9786 1,000:¥18.1365 2,000:查看	参考库存:2115