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晶体管
STB120NF10T4参考图片

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STB120NF10T4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp
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数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
1,000
¥14.9047
14904.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB120NF10
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
68 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
132 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB120NF10T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:22833
晶体管
MOSFET 60V 115mA N-Channel
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6424710
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:28582
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:16084
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥36.499
10:¥29.3574
25:¥28.815
100:¥26.7358
参考库存:1166
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