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晶体管
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BC68PASX

  • Nexperia
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A NPN Medium Power Transistors
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.486
24.86
100
¥1.1413
114.13
1,000
¥0.87575
875.75
3,000
¥0.7458
2237.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020D-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
170 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
375 at 500 mA, 1 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
85 at 500 mA, 1 V
Pd-功率耗散
1.65 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.5994
500:¥9.2999
1,000:¥7.7631
参考库存:7283
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.008 Ohm typ., 16 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.91
3,000:¥7.3111
参考库存:22260
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:2362
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥1,021.6669
5:¥1,001.6094
10:¥954.8952
25:¥934.8377
参考库存:2364
晶体管
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.1418
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.0568
1,000:¥4.7799
3,000:¥4.4635
参考库存:32216
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