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晶体管
CSD85302LT参考图片

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CSD85302LT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V Dual N ch MOSFET
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库存:4,310(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.842
38.42
100
¥2.4634
246.34
250
¥2.4634
615.85
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
680 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.22 mm
长度
1.35 mm
系列
CSD85302L
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.35 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
99 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
173 ns
典型接通延迟时间
37 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85302LT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Slow version
1:¥28.5099
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:4205
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
250:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:8962
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥6.6896
10:¥5.5822
100:¥3.6047
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:89454
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:22486
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:77688
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