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晶体管
ZVN4306GTA参考图片

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ZVN4306GTA

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库存:17,049(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
330 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZVN4306
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.7 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN4306GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
800:¥3.0284
参考库存:28858
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:28863
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 98 mOhm MOSFET
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:28868
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
50:¥3,771.8496
参考库存:28873
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
4,000:¥0.95259
参考库存:26375
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