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晶体管
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2N5152

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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数量单价合计
1
¥286.0708
286.0708
5
¥273.2453
1366.2265
10
¥264.7138
2647.138
25
¥243.1986
6079.965
50
¥237.5147
11875.735
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极—射极饱和电压
750 mV
最大直流电集电极电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 2.5 A, 5 VDC
封装
Bulk
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 2.5 A, 5 VDC
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2N5152的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM2212CPZ-R7
Analog Devices
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise,Matched Dual NPN Transistor
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
1,500:¥28.2048
参考库存:24301
FDP8030L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥47.2566
10:¥42.7253
50:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:5583
FS50R07W1E3_B11A
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 EASY
1:¥336.7852
5:¥329.3385
10:¥314.2756
25:¥301.0546
参考库存:2320
BUK7214-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥7.91
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
2,500:¥3.1866
10,000:查看
参考库存:43882
IPD90N03S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
2,500:¥5.9438
5,000:查看
参考库存:14559
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