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晶体管
STW48N60M2-4参考图片

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STW48N60M2-4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO247-4 package
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数量单价合计
1
¥70.9188
70.9188
10
¥64.1614
641.614
25
¥61.1669
1529.1725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW48N60M2-4
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
18.5 ns
商品其它信息
优势价格，STW48N60M2-4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSS123W
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:160492
IKY50N120CH3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥92.9764
10:¥85.5184
25:¥81.9928
100:¥72.2296
参考库存:2434
FCPF190N65S3L1
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:12451
BSC014N04LSTATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
5,000:¥8.2942
参考库存:37398
IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
2,500:¥10.1474
5,000:查看
参考库存:19595
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