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晶体管
IPB120P04P4L-03参考图片

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IPB120P04P4L-03

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -40V -120A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥17.8992
17.8992
10
¥15.2098
152.098
100
¥12.1362
1213.62
500
¥10.5994
5299.7
1,000
¥8.7575
8757.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
57 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB12P4P4L3XT SP000842284
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPB120P04P4L-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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