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晶体管
DMP2160UFDBQ-7参考图片

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DMP2160UFDBQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
68 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP2160
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
27.54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.09 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55.34 ns
典型接通延迟时间
11.51 ns
商品其它信息
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3,000:¥2.0905
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