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晶体管
APT50GT120JU2参考图片

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APT50GT120JU2

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
1
¥277.1664
277.1664
5
¥267.8665
1339.3325
10
¥259.109
2591.09
25
¥239.6617
5991.5425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
347 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT50GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4919
500:¥6.6105
1,000:¥5.2206
2,500:¥4.9833
参考库存:6652
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:53874
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp
1:¥10.9836
10:¥9.0626
100:¥6.9156
500:¥5.989
800:¥5.989
参考库存:7376
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SOT-1123 NBRT TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:82063
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.8367
500:¥9.5259
1,000:¥7.8422
参考库存:5995
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