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晶体管
GS66516B-E01-MR参考图片

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GS66516B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 最新
  • MOSFET 650V, 60A E-Mode GaN
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数量单价合计
1
¥331.4855
331.4855
10
¥320.7279
3207.279
25
¥305.9814
7649.535
250
¥284.2289
71057.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.54 mm
长度
11 mm
产品
MOSFET
系列
GS66516x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9 mm
商标
GaN Systems
下降时间
22 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
12.4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.9 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
零件号别名
GS66516B-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS66516B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF475FL
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥740.3534
2:¥717.3805
5:¥717.1432
10:¥694.0234
参考库存:4587
BMS3003-1E
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥29.7416
10:¥25.2781
100:¥21.8994
250:¥20.7468
参考库存:6659
PMZB290UN,315
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.2148
100:¥0.77631
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.5763
20,000:查看
参考库存:96661
FDB8896
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9269
800:¥5.4579
参考库存:9048
2N7002VA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:45210
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