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晶体管
SIHU6N62E-GE3参考图片

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SIHU6N62E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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库存:19,846(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥6.9495
3474.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
E
宽度
2.39 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,SIHU6N62E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:252899
晶体管
MOSFET NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17501
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
参考库存:2513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
1:¥37.8098
10:¥33.7305
100:¥30.736
250:¥27.7415
参考库存:2135
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington 8A 100V
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:46107
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