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晶体管
TSM4N90CI C0G参考图片

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TSM4N90CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 900V 4A N Channel Power Mosfet
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库存:49,884(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥7.1642
28656.8
5,000
¥6.9043
34521.5
10,000
¥6.7574
67574
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
49 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TSM4N90CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:3738
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
1:¥36.6572
10:¥31.1202
100:¥27.0522
250:¥25.6623
1,000:¥19.3682
2,000:查看
参考库存:8140
晶体管
MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.91
500:¥6.9269
2,500:¥5.3449
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,500:¥1.04525
10,000:¥0.97632
参考库存:53234
晶体管
MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
4,000:¥2.3617
参考库存:50106
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