您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FP20R06YE3_B4参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FP20R06YE3_B4

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:49,879(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥364.8318
7296.636
40
¥353.1589
14126.356
60
¥353.0798
21184.788
100
¥327.1802
32718.02
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP20R06YE3B4BOMA1 SP000089810
商品其它信息
优势价格,FP20R06YE3_B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥376.6742
2:¥366.4477
5:¥356.3116
10:¥346.1642
参考库存:4103
晶体管
MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.7233
100:¥1.6611
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09158
参考库存:284505
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
2,500:¥3.6047
参考库存:103842
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:228939
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.4416
250:¥17.4472
参考库存:5686
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号