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晶体管
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ARF475FL

  • Microsemi
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥740.3534
740.3534
2
¥717.3805
1434.761
5
¥717.1432
3585.716
10
¥694.0234
6940.234
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
优势价格,ARF475FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:21754
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥14.5996
800:¥14.5996
参考库存:40521
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 450A
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4343
晶体管
MOSFET NFET 30V .56A 1500M
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29945
参考库存:462115
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:255622
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