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晶体管
TSM180N03CS RLG参考图片

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TSM180N03CS RLG

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库存:27,512(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.2318
32.318
100
¥2.4069
240.69
500
¥1.7628
881.4
2,500
¥1.2091
3022.75
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.8 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
商品其它信息
优势价格,TSM180N03CS RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:3788
晶体管
MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:14945
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4992
100:¥35.1204
参考库存:6012
晶体管
MOSFET PCH 0.9V DRIVE SERIES
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3108
9,000:¥1.2995
参考库存:89824
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
800:¥8.2264
参考库存:5411
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