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晶体管
BSC130P03LS G参考图片

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BSC130P03LS G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.605
96.05
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
5,000
¥5.0059
25029.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
22.5 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
35.1 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
65.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43.5 ns
典型接通延迟时间
11.4 ns
零件号别名
BSC130P03LSGAUMA1 BSC13P3LSGXT SP000359666
商品其它信息
优势价格，BSC130P03LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
参考库存:51046
GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,097.7385
参考库存:51051
APTGT200DH60G
Microsemi
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100:¥801.3621
参考库存:51056
STP180NS04ZC
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1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
参考库存:51061
IPLK80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:51066
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