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晶体管
SI7450DP-T1-RE3参考图片

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SI7450DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
3,000
¥8.2264
24679.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
SI7
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
19 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格，SI7450DP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
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MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
DMT34M2LPS-13
Diodes Incorporated
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MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
参考库存:42278
DDTA114WE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
2N5859
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
DDTC115TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596
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