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晶体管

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APTGT200DH60G

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库存:51,056(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥801.3621
80136.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
290 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200DH60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V NCh PowerTrench
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.4069
参考库存:6273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
参考库存:3025
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
参考库存:22377
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:25279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:21221
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