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晶体管
IPP120N04S3-02参考图片

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IPP120N04S3-02

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数量单价合计
500
¥16.2155
8107.75
1,000
¥13.673
13673
2,500
¥12.9837
32459.25
5,000
¥12.5204
62602
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPP120N04S302AKSA1 IPP12N4S32XK SP000261228
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP120N04S3-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH MOS 40V 20A
暂无价格
参考库存:35077
晶体管
MOSFET 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
暂无价格
参考库存:35082
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
1:¥81.2922
10:¥74.693
25:¥71.6194
100:¥63.0879
1,000:¥51.4828
参考库存:6622
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥4,791.3582
参考库存:35089
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥296.06
2:¥288.0709
5:¥280.0818
10:¥272.0927
参考库存:35099
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