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晶体管
GTVA261701FA-V1-R2参考图片

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GTVA261701FA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:51,051(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
170 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA261701FA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 30MA
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:16094
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 80V
2,500:¥1.00683
参考库存:51096
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:13758
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:182175
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A PIM
1:¥873.9759
5:¥857.9186
10:¥819.2726
25:¥791.9944
参考库存:1402
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