图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 8.0-11.0GHz, 25 Watt
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1:¥3,439.8217
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参考库存:3177
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 25 Watt
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1:¥3,404.9386
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参考库存:3532
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥1,046.8659 50:¥1,046.8659
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参考库存:2996
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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1:¥2,673.4896
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参考库存:1622
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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1:¥6,372.7254 50:¥6,372.7254
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参考库存:1826
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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10:¥358.9219
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参考库存:3895
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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10:¥561.6213
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参考库存:2538
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
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1:¥346.7744
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参考库存:2855
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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10:¥168.0536
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参考库存:2902
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
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10:¥245.2778
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参考库存:2304
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射频放大器 Test Board without GaN MMIC
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1:¥6,164.1048
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参考库存:1676
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
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1:¥528.049
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参考库存:1637
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射频放大器 Test Board without GaN MMIC
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1:¥6,164.1048
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参考库存:1321
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥879.3547
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参考库存:5454
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥848.0085 50:¥848.0085
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参考库存:5282
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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1:¥74.7608 1,000:¥74.7608
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参考库存:9450
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
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10:¥301.0546
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参考库存:5993
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:5353
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
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1:¥404.1784 250:¥404.1784
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参考库存:7242
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
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1:¥699.6282
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参考库存:4283
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