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无线和射频半导体
CGH40035F参考图片

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CGH40035F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
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¥1,206.8513
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
输出功率
45 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.46 mm
工作频率
2 GHz to 4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH40035F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
120
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH40035F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY13567-666LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
RF 开关 IC SP5T
1:¥6.4523
10:¥5.7969
25:¥5.0059
100:¥4.52
3,000:¥2.6781
参考库存:17166
VRF152
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:2328
ADG919BRMZ
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC WB 43dB Iso 1GHz CMOS 2:1 Mux/SPDT
1:¥25.9674
10:¥23.2102
25:¥20.905
50:¥19.8993
参考库存:2940
SKY65045-70LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 390-1500MHz HBT NF 1.8dB Gain 14 dB
1:¥26.668
10:¥23.8204
25:¥21.4361
100:¥19.5151
3,000:¥13.2888
参考库存:8117
MRF426
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥293.5288
10:¥243.2777
25:¥236.509
50:¥229.7516
100:¥175.1161
参考库存:2324
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