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无线和射频半导体
CGH55015F2参考图片

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CGH55015F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
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¥528.049
528.049
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
10 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
4.5 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
60
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
单位重量
500 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGL4201-03
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 DC-50 GHz Fixed Attenuator-3dB
200:¥19.2891
400:¥17.289
600:¥15.2889
1,000:¥13.2888
2,600:¥13.0628
参考库存:7716
AT-106-PIN
MACOM
无线和射频半导体
衰减器 DC-2.0GHz 6-bit Atten=50dB 1dB steps
1:¥1,747.4998
2:¥1,699.1584
5:¥1,660.2073
10:¥1,611.719
参考库存:1783
BFP 740F H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:80280
HMC988LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
预定标器 Divider 1,2,4,16,32, Variable Delay 4GHz
1:¥141.9958
10:¥128.8652
25:¥121.1021
50:¥116.5708
参考库存:1837
BGA 725L6 E6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8306
1,000:¥1.4125
15,000:¥1.06785
参考库存:154499
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