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无线和射频半导体
CGH60030D-GP4参考图片

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CGH60030D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
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¥561.6213
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
3 A
输出功率
30 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Dual
高度
100 um
长度
1.66 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60030D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARA2017RS29P8
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 PROGRAMMABLE GAIN AMPLIFIER
1:¥47.2566
10:¥42.262
25:¥38.0358
100:¥34.6571
2,500:¥21.357
参考库存:29863
BFU550AVL
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
参考库存:29868
TGA3500-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-12GHz NF 3dB Gain 34dB
25:¥1,129.7062
参考库存:29873
NBB-400-SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-8GHz Gain 15.5dB P1dB 15dBm@2GHz
100:¥67.235
参考库存:29878
AGR18030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
1:¥457.198
5:¥419.5464
10:¥376.516
25:¥333.4856
参考库存:29883
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