| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:35754
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥945.6744
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参考库存:35735
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,281.0019
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参考库存:35723
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
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暂无价格
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参考库存:35644
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
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参考库存:2483
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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暂无价格
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参考库存:35563
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
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1:¥862.0657
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参考库存:3519
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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1:¥2,663.9637
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参考库存:2361
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥2,955.8088
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参考库存:35541
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥652.5976
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参考库存:35519
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
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1:¥1,206.8513
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参考库存:2353
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥768.40
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参考库存:35488
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥548.8636
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参考库存:35466
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,097.7385
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参考库存:35419
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥512.6019
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参考库存:35398
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥853.9975
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参考库存:35325
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥500.5335
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参考库存:35301
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥4,926.3706
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参考库存:35204
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:35152
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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暂无价格
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参考库存:35142
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