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射频晶体管
CGHV59350F参考图片

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CGHV59350F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
输出功率
450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
24.26 mm
工作频率
5900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
C-Band Radar HEMT
宽度
23.01 mm
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
15
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV59350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 193 E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:31777
PXAC243502FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,207.4615
参考库存:36049
PTVA104501EH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:36054
D1003UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175HMz SE
50:¥479.5607
100:¥466.3397
参考库存:36059
BFP 650F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.068
10:¥3.4239
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:17484
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