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射频晶体管
GTVA261701FA-V1-R2参考图片

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GTVA261701FA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:35,419(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
170 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA261701FA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
1:¥1,456.5813
参考库存:5260
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09D400-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥942.6008
参考库存:38417
射频晶体管
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1:¥737.664
10:¥614.72
25:¥553.248
50:¥491.776
参考库存:5502
射频晶体管
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250:¥822.7304
参考库存:38424
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1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:33824
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