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分立半导体
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E3M0280090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
364 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
3.6 S
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
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