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FT150R12KE3_B5

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
封装 / 箱体
Econo 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FT150R12KE3B5BOSA1 SP000083610
商品其它信息
优势价格，FT150R12KE3_B5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SR550-T
Rectron
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DO-201AD 5A 50V Scho ttky
1,200:¥2.2487
2,400:¥1.9323
4,800:¥1.7628
9,600:¥1.6046
24,000:¥1.5707
参考库存:34721
JANS1N6311US
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
50:¥787.4518
100:¥770.4001
参考库存:34726
1N6019D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
182:¥39.0302
250:¥35.6515
500:¥32.4988
1,000:¥28.4308
参考库存:34731
JANTX1N4620DUR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥198.0212
250:¥181.7266
500:¥172.9691
参考库存:34736
1N3293R
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
100:¥534.8855
参考库存:34741
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