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分立半导体
FZ600R12KS4参考图片

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FZ600R12KS4

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数量单价合计
1
¥1,133.8533
1133.8533
5
¥1,106.5751
5532.8755
10
¥1,079.0596
10790.596
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
700 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3900 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ600R12KS4HOSA1 SP000100773
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FZ600R12KS4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥98.2761
10:¥88.4451
25:¥80.6029
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10:¥21.4361
100:¥18.5207
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1,000:¥13.2888
2,000:查看
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1,500:¥7.6275
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1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:41580
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