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分立半导体
IPD50N10S3L-16参考图片

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IPD50N10S3L-16

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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9608
696.08
500
¥6.1585
3079.25
2,500
¥4.3053
10763.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD5N1S3L16XT SP000386185
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,IPD50N10S3L-16的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 33v
30,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
100,000:¥0.18419
参考库存:52272
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桥式整流器 1.5 Amp 800 Volt 50 Amp IFSM
5,000:¥2.0566
参考库存:52277
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6,000:¥1.1413
9,000:¥1.05994
24,000:¥1.00683
45,000:¥0.9831
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2,000:¥2.938
4,000:¥2.8024
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5,000:¥3.7629
参考库存:52289
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