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分立半导体
STF21NM60ND参考图片

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STF21NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch, 600V-0.17ohms FDMesh 17A
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数量单价合计
1
¥46.5673
46.5673
10
¥39.5726
395.726
100
¥34.352
3435.2
250
¥32.5779
8144.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STF21NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF21NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16643
分立半导体
整流器 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
1,500:¥0.79891
4,500:查看
参考库存:11205
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
1:¥6.3054
10:¥5.2884
100:¥3.4126
1,000:¥2.7233
4,000:¥2.7233
参考库存:18977
分立半导体
MOSFET 20V 200mA
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:24039
分立半导体
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
参考库存:24836
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