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分立半导体
HGTG30N60C3D参考图片

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HGTG30N60C3D

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库存:43,573(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥40.9512
18428.04
900
¥37.3465
33611.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
63 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60C3D
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
63 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
63 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60C3D_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG30N60C3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 3300V 1200A F/DIODE
1:¥12,136.3356
5:¥11,942.2468
参考库存:32055
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分立半导体模块 1600V 120A HF-CNTL
1:¥1,463.0336
5:¥1,427.8454
10:¥1,392.4199
25:¥1,372.9048
参考库存:32060
分立半导体
整流器 600 Volt 70 Amp
1:¥241.9669
5:¥231.0624
10:¥223.8304
25:¥205.7052
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暂无价格
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