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分立半导体
AUIRLR3915参考图片

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AUIRLR3915

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
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数量单价合计
3,000
¥6.6783
20034.9
6,000
¥6.4297
38578.2
9,000
¥6.1811
55629.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
61 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
42 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
51 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
7.4 ns
零件号别名
SP001516276
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRLR3915的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.2996
10:¥1.6046
100:¥1.10627
500:¥0.90626
10,000:¥0.52206
参考库存:54925
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 0.6A
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:21667
分立半导体
MOSFET N-CH 250V HEXFET MOSFET
1:¥10.1474
10:¥8.9948
100:¥7.119
2,500:¥7.119
参考库存:14899
分立半导体
稳压二极管 TVS ARRAY
1:¥3.2318
10:¥2.6781
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
8,000:¥1.00683
24,000:查看
参考库存:60401
分立半导体
整流器 1200 Volt 150 Amp
1:¥212.6208
5:¥203.0836
10:¥196.7104
25:¥180.80
参考库存:4963
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