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分立半导体
IRFHM830TRPBF参考图片

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IRFHM830TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2884
52.884
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7233
2723.3
4,000
¥2.7233
10893.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.05 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
9.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001566782
单位重量
66 mg
商品其它信息
优势价格，IRFHM830TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5919D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥76.84
10:¥69.2351
25:¥63.0879
100:¥56.9407
参考库存:25544
CDLL4462/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
1:¥84.6031
10:¥76.84
25:¥71.1561
50:¥67.3141
100:¥65.3931
参考库存:25549
VS-SD300C08C
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 800 Volt 650 Amp
1:¥396.4944
5:¥389.1946
10:¥373.1373
25:¥361.4531
参考库存:25554
VS-30CPQ040-N3
Vishay Semiconductors
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Schottky - TO-247-e3
500:¥26.1256
1,000:¥22.0576
2,500:¥20.9728
参考库存:25559
VS-SD300C04C
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 400 Volt 650 Amp
1:¥386.121
5:¥375.8267
10:¥361.2271
25:¥334.0958
参考库存:25564
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