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分立半导体
SIHB17N80E-GE3参考图片

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SIHB17N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥39.6517
39.6517
10
¥32.8152
328.152
100
¥27.0522
2705.22
250
¥26.2047
6551.175
500
¥23.5153
11757.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
122 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
8.7 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
71 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,SIHB17N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 20A TO-247-3L SiC Schottky Diode
1:¥138.4702
10:¥125.8594
25:¥116.4126
50:¥111.644
参考库存:6271
分立半导体
肖特基二极管与整流器 TMBS 150V Vrrm eSMP SlimSMA (DO-221AC)
1:¥3.2996
10:¥2.4973
100:¥1.8645
500:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,500:¥1.07576
参考库存:72663
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 0.5A LOW IR SOD-
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
8,000:¥0.79891
24,000:查看
参考库存:43285
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V, 2A SCHOTTKY
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:198987
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:38289
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