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产品分类

分立半导体
SQJB60EP-T1_GE3参考图片

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SQJB60EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:48,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
43 S, 43 S
下降时间
25 ns, 25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns, 3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 23 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB60EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 15A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
1:¥27.6624
10:¥23.7413
100:¥18.5998
200:¥16.6788
参考库存:44934
分立半导体
桥式整流器 25A, 200V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:44939
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 50 Volt 120 Amp IFSM
1:¥8.1473
10:¥7.458
100:¥5.7404
500:¥4.2488
参考库存:44944
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,60V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥7.458
10:¥6.6105
25:¥5.9664
100:¥5.2206
800:¥3.1979
2,400:查看
参考库存:44949
分立半导体
整流器 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:44954
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