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分立半导体
STF12N120K5参考图片

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STF12N120K5

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥74.0715
74.0715
10
¥66.9299
669.299
25
¥63.8563
1596.4075
100
¥55.4039
5540.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.2 kV
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
产品
Power MOSFET
系列
STF12N120K5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh K5
宽度
10.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
18.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68.5 ns
典型接通延迟时间
23 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STF12N120K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥110.6496
10:¥100.5022
25:¥92.9764
50:¥87.9818
参考库存:2782
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching
1:¥118.1076
10:¥107.35
25:¥99.3496
50:¥93.9708
参考库存:2679
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Rectifier 30V 275A
1:¥9.7632
10:¥8.1473
100:¥6.9269
250:¥6.0794
1,500:¥3.955
4,500:查看
参考库存:15261
分立半导体
IGBT 模块 600V 15A Inverter for Mocion control
1:¥184.8793
5:¥183.0374
10:¥170.5848
25:¥162.9008
参考库存:2423
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2772
参考库存:5405
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