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分立半导体
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IPD135N03L G

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数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.3618
43.618
100
¥2.8137
281.37
1,000
¥2.2487
2248.7
2,500
¥1.8984
4746
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
IPD135N03LGBTMA1 IPD135N3LGXT SP000236951
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD135N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CBAT54 TR
Central Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Single Schottky 30Vr 200mA 600Ifsm
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥2.0001
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2769
参考库存:31380
RN2422TE85LF
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
1:¥3.7629
10:¥2.1809
100:¥1.02943
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.66105
参考库存:44782
CRS10I30C(TE85L,QM
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vrrm 1.0A IF 50Hz 0.7A IFM
1:¥3.9211
10:¥2.5877
100:¥1.4464
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
参考库存:44787
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt
1:¥11.4469
10:¥9.379
100:¥7.1868
500:¥6.1811
1,000:¥5.424
参考库存:44792
CLL4752A TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 MELF 33V 1W Zener
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.89948
1,500:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:261397
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