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分立半导体
IRFB3256PBF参考图片

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IRFB3256PBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, 60V, 210A, 3 130 nC Qg, TO-220AB
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数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.8256
3706.4
500
¥13.2888
6644.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
130 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
88 S
下降时间
64 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
77 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SP001577830
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFB3256PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
K2500S1URP
Littelfuse
分立半导体
高压触发二极管 250V DO-214AC 2L
1:¥8.2942
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.3222
5,000:¥3.3222
参考库存:29986
DMC3025LDV-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,000:¥1.6046
参考库存:14988
PMPB20XNEAX
Nexperia
分立半导体
MOSFET PMPB20XNEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1526
参考库存:19990
ESH2DHE3_A/H
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
1:¥3.4578
10:¥2.6555
100:¥1.9662
500:¥1.6159
750:¥1.2543
参考库存:12192
TPH3R704PL,L1Q
Toshiba
分立半导体
MOSFET 40 Volt N-Channel
1:¥6.3732
10:¥4.8816
100:¥3.1527
1,000:¥2.5199
5,000:¥2.1244
参考库存:24319
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