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分立半导体
DMN61D8L-7参考图片

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DMN61D8L-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9606
29.606
100
¥1.6046
160.46
1,000
¥1.2091
1209.1
3,000
¥1.03734
3112.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
470 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
0.74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
610 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN61
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
440 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
301 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
582 ns
典型接通延迟时间
131 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN61D8L-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.49946
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1,000:¥0.31527
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10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:89528
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