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分立半导体
IPA65R095C7参考图片

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IPA65R095C7

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数量单价合计
1
¥41.2676
41.2676
10
¥35.1204
351.204
100
¥30.4309
3043.09
250
¥28.8941
7223.525
500
¥25.8996
12949.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPA65R095C7XKSA1 SP001080126
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPA65R095C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥1.7628
10:¥1.2317
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100:¥13.221
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