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分立半导体
IAUT200N08S5N023ATMA1参考图片

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IAUT200N08S5N023ATMA1

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数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥25.8996
258.996
100
¥22.4418
2244.18
250
¥21.2892
5322.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001688332
商品其它信息
优势价格,IAUT200N08S5N023ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
1:¥4.9946
10:¥3.8759
100:¥3.4013
500:¥3.0397
8,000:¥1.8871
参考库存:41843
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2.0A 30V LFF
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:79215
分立半导体
MOSFET 60V 20A N-Channel
1:¥6.6896
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
2,500:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:62982
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Darl
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:59019
分立半导体
肖特基二极管与整流器 0.5 Amp 40 Volt
1:¥3.5369
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:106441
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