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分立半导体
TK30S06K3L(T6L1,NQ参考图片

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
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1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.3054
630.54
500
¥5.537
2768.5
2,000
¥3.9211
7842.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK30S06K3L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TK30S06K3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥17.9783
100:¥15.594
250:¥14.8256
1,000:¥11.2209
2,000:查看
参考库存:7476
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